Hover on the image to zoom

HỆ THỐNG QUANG PHỔ PHÁT XẠ PLASMA ICP-OES – PRODIGY PLUS

 Công nghệ phân tích: quang phổ phát xạ plasma ghép nối cặp cảm ứng (ICP-OES)

 Ứng dụng: lĩnh vực môi trường, phân tích dầu béo, dược phẩm, thực phẩm, dầu khí, nhiên liệu sinh học, ngành khai thác…

 Model: PRODIGY PLUS

 Hãng sản xuất: TELEDYNE LEEMAN LABS

 Nước sản xuất: Mỹ

Mô tả

HỆ THỐNG QUANG PHỔ PHÁT XẠ PLASMA ICP-OES GHÉP NỐI CẶP CẢM ỨNG

MODEL: PRODIGY PLUS

Prodigy Plus là hệ thống quang phổ phát xạ plasma ghép nối cặp cảm ứng ICP-OES hoàn toàn tự động phân tích đồng thời các nguyên tố vi lượng trong nước hoặc vật liệu hữu cơ. Prodigy plus được trang bị đầu dò tiên tiến, hệ thống quang học thiết kế đặc biệt giúp thiết bị có độ phân giải tuyệt vời, độ ổn định và giới hạn phát hiện cho kết quả đáng tin cậy, có nhiều tính năng tùy chọn đảm bảo để nâng cao khả năng của phòng thí nghiệm phân tích hữu cơ.

Hệ thống quang học thiết kế đặc biệt của máy icp-oes Prodigy plus
Hệ thống quang học thiết kế đặc biệt của máy icp-oes Prodigy plus

TÍNH NĂNG NỔI BẬT

  • ICP-OES ProdigyPlus có các cấu hình: dọc trục Axial, xuyên tâm Radial, hoặc xem kép Dual-View kết hợp dọc trục/xuyên tâm
  • Đầu dò CMOS định dạng lớn, độ phân giải cao, tốc độ đọc nhanh, dải tuyến tính rộng
  • Chụp ảnh toàn khung hình, ghi lại toàn bộ phổ ICP trong một lần đọc
  • Dải bước sóng rộng: 165 – 1.100 nm (có thể chọn dải 134 – 1100 nm cho phân tích Halogen)
  • Hệ quang kiểu Echelle hiệu năng cao, tiêu cự:  800 mm, cho ánh sáng lạc thấp nhất
  • Khóa Twist-n-Lock dễ dàng thao tác, chỉ cần vặn và khóa; tự động canh chỉnh bộ đưa mẫu
  • Hệ thống giới thiệu mẫu dành riêng cho ứng dụng
  • Màn hình lịch trìnhbảo trì được tích hợp

Bộ nạp mẫu thiết kế dạng dạng khóa twist-n-lock dễ dàng thao lắp lại ngọn đuốc ở cùng một vị trí mọi lúc
Bộ nạp mẫu thiết kế dạng dạng khóa twist-n-lock dễ dàng thao lắp lại ngọn đuốc ở cùng một vị trí mọi lúc

HỆ THỐNG NẠP MẪU

  • Bộ đưa mẫu dạng đuốc, lắp theo kiểu khóa Twist-n-Lock, dễ tháo lắp
  • Bơm nhu động: điều khiển bằng máy tính với 4 kênh, 12 rollers, bơm mẫu đến máy phun sương
  • Bộ phun sương:  đồng tâm, chống HF, rãnh chữ V, lưu lượng thấp
  • Buồng phun: buồng phun dạng xoắn ốc (cyclonic spray chamber), chống HF
  • Các hệ thống giới thiệu mẫu có sẵn: mẫu sạch, mẫu lượng chất rắn hòa tan cao, mẫu hữu cơ và mẫu HF

HỆ THỐNG KIỂM SOÁT KHÍ

  • Khí plasma: điều khiển bằng MFC (mass flow control), 0 – 20 L/phút. Tiêu hao thông thường 20 L/phút
  • Khí phụ trợ: điều khiển bằng MFC, 0 – 2 L/phút.
  • Khí bộ phun sương: điều khiển áp suất, 0 – 60 psi, lựa chọn điều khiển lưu lượng
  • Khí lọc: khí Ar hoặc N2, điều khiển ở 0 – 15 L/phút. Tốc độ bình thường 1 L/phút
  • Ngắt khí cho chế độ xem hướng trục và xem kép: bơm khí được tích hợp, khóa liên động, điều khiển bằng máy tính

NGUỒN ICP CỦA ICP-OES

  • Bộ tạo tần số: thiết kế không cần nước làm nguội
  • Tần số: 40.68 MHz (±0.03%)
  • Bộ khuếch đại: trạng thái rắn
  • Tiêu chuẩn đáp ứng: FCC và CE,
  • Đầu ra tối đa của bộ phát: 4 kW
  • Dải nguồn khả dụng: 600 – 2000 W, gia số 10 W
  • Đánh lửa và ngưng: tự động, điều khiển bởi máy tính
  • Khóa liên động an toàn: lưu lượng nước, áp suất khí Ar, áp suất ngắt khí, nắp thiết bị
  • Nước làm mát: 30 psi (1.9 bar) ở 2 L/phút
  • Thoát khí thải: 2.83 m3/min

HỆ THỐNG QUANG PHỔ KẾ CỦA QUANG PHỔ PHÁT XẠ PLASMA ICP-OES

  • Thiết kế quang học: high energy Echelle Polychromator, Out-of-Plane Wadsworth Echelle
  • Chiều dài tiêu cự: 800 mm
  • Độ phân tán: 0.19 nm/mm @ 200 nm
  • Độ phân giải quang học: 0.008 nm @ 200 nm
  • Khe cổng vào (entrance slit): 40 x 100 µm
  • Cách tử: 52.13 g/mm, 102 x 102 mm
  • Góc phát sáng: 32o
  • Lăng kính: 5o, bằng Silica nung chảy, 95x 80 mm
  • Dải bước sóng: 165 – 1100 nm, tùy chọn dải 134 – 1100 nm cho phân tích Halogen

HỆ THỐNG ĐẦU DÒ

  • Công nghệ: CMOS Detector (detector được gắn trên camera, camera được gắn trên hệ thống quang học)
  • Kích thước đầu dò: 28 mm x 28 mm (784 mm2)
  • Số pixels: 3,38 triệu (1840 x 1840)
  • Kích thước pixel: 15 µm
  • Khu vực hoạt động: 100%
  • Hệ thống làm mát: 3-Stage Peltier
  • Nhiệt độ làm mát: -35oC – 40oC
  • Chế độ đo: đồng thời

Đầu dò công nghệ CMOS của ICP-OES kích thước lớn, độ phân giải cao
Đầu dò công nghệ CMOS kích thước lớn, độ phân giải cao

TỐI ƯU HÓA PLASMA

  • Tối ưu hóa dựa trên cường độ, giới hạn phát hiện hoặc tín hiệu trên nền
  • Tối ưu hóa quan sát: các vị trí quan sát đồng trục, hướng tâm hoặc cả hai hướng được tối ưu dưới sự kiểm soát của máy tính.

Các vị trí quan sát của máy quang phổ icp-oes Prodigy 7 – Axial, Radial, Dual

PHẦN MỀM

  • Phần mềm Sala điều khiển, thu nhận và xử lý dữ liệu
  • Phần mềm giao diện đồ họa, điều khiển mọi thông số của thiết bị, bao gồm các công cụ mạnh dùng cho phân tích mẫu và phát triển phương pháp, bảo trì thiết bị, ghi chép dữ liệu người vận hành, hoạt động của máy và các kết quả.
  • Thiết kế giao diện: Phần mềm có bảng hướng dẫn (navigation panel) giúp điều khiển dễ dàng
  • Dễ dàng thực hiện với các “nhiệm vụ phức tạp”
  • Tạo một phương pháp duy nhất phù hợp với yêu cầu phân tích cụ thể
  • Tinh chỉnh phương pháp hiện có để đạt được kết quả vượt trội 
  • Thực hiện đánh giá chi tiết các kết quả cho một mẫu hoặc loạt mẫu

Giao diện trực quan, dễ dàng điều khiển máy quang phổ phát xạ ICP-OES Prodigy plus

THÔNG SỐ KHÁC

  • Nguồn điện: 1 pha, 195-245 V, 30 A, 50/60 Hz
  • Nhiệt độ làm việc: 15 – 30oC
  • Độ ẩm: 20 – 80 %, không ngưng tụ
  • Kích thước máy chính (HxWxD) 71.1 x 132.1 x 55.9 cm
  • Khối lượng máy chính: 132 kg

BUTTON-ENG-CATALOG

Đánh giá

Chưa có đánh giá nào.

Hãy là người đầu tiên nhận xét “HỆ THỐNG QUANG PHỔ PHÁT XẠ PLASMA ICP-OES – PRODIGY PLUS”

Email của bạn sẽ không được hiển thị công khai. Các trường bắt buộc được đánh dấu *

0903042747
1918457821491473298